4 Гб, DDR-4, 21300 Мб/с, CL16-18-18-35, 1.2 В
Общие характеристики
Activate to Precharge Delay (tRAS) 35
Код производителя R744G2606U1S-U
Количество модулей в комплекте 1
Объем модуля, Гб 4 Гб
Производитель AMD
Пропускная способность, Мб/с 21300 Мб/с
Система охлаждения   пассивная (радиатор)
Тактовая частота, Мгц 2666 МГц
Тип памяти DDR-4
Форм-фактор DIMM
Объем 4 Гб
Тайминги
CAS Latency (CL) 16
RAS to CAS Delay (tRCD) 18
Row Precharge Delay (tRP) 18
Дополнительно
Напряжение питания, В 1.2 В