650р.
В наличии
Официальная гарантия

На все товары

Оформи в кредит

По паспорту

Общие характеристики
Буферизованная (Registered) нет
Буферизованная (Registered) нет
Напряжение питания 1.35 В
Напряжение питания 1.35 В
Низкопрофильная (Low Profile) нет
Низкопрофильная (Low Profile) Да
Объем модуля, Гб 4
Объем модуля, Гб 4
Поддержка ECC нет
Поддержка ECC нет
Пропускная способность 12800 МБ/с
Пропускная способность 12800 МБ/с
Тактовая частота MHz 1600
Тактовая частота, Мгц 1600 МГц
Тип памяти DDR3
Тип памяти DDR3
Форм-фактор DIMM 240-контактный
Форм-фактор DIMM 240-контактный
Тайминги
CAS Latency (CL) 11
CAS Latency (CL) 11
RAS to CAS Delay (tRCD) 11
RAS to CAS Delay (tRCD) 11
Row Precharge Delay (tRP) 11
Row Precharge Delay (tRP) 11